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| 3 | +title: 컴퓨터 기억장치와 계층 구조 |
| 4 | +description: 컴퓨터 기억장치의 분류, 특성, 계층 구조, 반도체 메모리, 모듈 설계 등 핵심 개념을 정리 |
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| 7 | +## 1. 기억장치 분류와 특성 |
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| 9 | +### 1.1 기억장치 액세스 유형 |
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| 11 | +| 유형 | 설명 | 예시 | |
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| 13 | +| 순차적 액세스 | 처음부터 순서대로 접근 | 자기 테이프 | |
| 14 | +| 직접 액세스 | 위치 근처로 이동 후 순차 검색 | 디스크, CD-ROM | |
| 15 | +| 임의 액세스 | 주소로 직접 접근, 모든 위치 액세스 시간 동일 | RAM, ROM 등 | |
| 16 | +| 연관 액세스 | 내용 일부(비트) 비교로 일치 데이터 접근 | 연관(associative) 메모리 | |
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| 18 | +### 1.2 기억장치 설계 및 전송 단위 |
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| 20 | +- **용량:** 저장 가능한 총 정보량 |
| 21 | +- **액세스 속도:** 읽기/쓰기 소요 시간 |
| 22 | +- **전송 단위:** CPU가 한 번에 읽거나 쓸 수 있는 비트수 (주기억장치: 단어, 보조저장장치: 블록) |
| 23 | +- **주소지정 단위:** 각 주소에 저장되는 데이터 길이 (바이트/단어) |
| 24 | + - 주소 비트 수 $A$, 주소지정 단위 수 $N$ → $2^A = N$ |
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| 26 | +### 1.3 액세스 속도 관련 파라미터 |
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| 28 | +- **액세스 시간:** 주소/신호 입력~데이터 액세스 완료까지 시간 |
| 29 | +- **데이터 전송률:** 초당 액세스 비트수 |
| 30 | + - 공식: `$\text{전송률} = \frac{1}{\text{액세스 시간}} \times \text{전송 단위 비트수}$` |
| 31 | + - 예: 액세스 100ns, 32비트 → 40MB/s |
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| 33 | +### 1.4 기억장치 유형 |
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| 35 | +- **제조 재료:** |
| 36 | + - 반도체: RAM, ROM, 플래시 메모리 |
| 37 | + - 자기-표면: 디스크 등 |
| 38 | +- **데이터 저장 성질:** |
| 39 | + - 휘발성: 전원 차단 시 데이터 소멸 (RAM) |
| 40 | + - 비휘발성: 영구 저장 (ROM, 디스크, SSD) |
| 41 | + - 삭제 불가: 내용 변경 불가 (ROM) |
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| 45 | +## 2. 계층적 기억장치 시스템 |
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| 47 | +### 2.1 계층화의 필요성 및 효과 |
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| 49 | +- 다양한 속도/용량/가격의 기억장치 조합 필요 |
| 50 | +- **효과:** 성능-가격비 향상 |
| 51 | +- **특성:** |
| 52 | + - 상위 계층: 빠름, 비쌈, 용량 작음, CPU 접근 빈도 높음 |
| 53 | + - 하위 계층: 느림, 쌈, 용량 큼, 접근 빈도 낮음 |
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| 55 | +### 2.2 계층적 기억장치 시스템의 원리 |
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| 57 | +- **2단계 계층:** ML1(고속/소용량) ↔ ML2(저속/대용량) |
| 58 | +- **지역성의 원리:** 프로그램 실행 중 특정 영역 집중 액세스 → 상위 계층 액세스 빈도↑, 평균 액세스 시간↓ |
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| 60 | +### 2.3 기억장치 계층의 구성 |
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| 62 | +- **상위층:** 비트당 가격↑, 용량↓, 액세스 시간↓, CPU 접근 빈도↑ |
| 63 | +- **하위층:** 용량↑, 가격↓, 접근 빈도↓ |
| 64 | +- **캐시 메모리:** CPU-주기억장치 사이 고속 메모리, 속도 차이 보완 |
| 65 | +- **내부 기억장치:** CPU 직접 접근 가능 (레지스터, 캐시, 주기억장치) |
| 66 | +- **외부 기억장치:** 장치 제어기 통해 접근 (디스크, SSD, CD-ROM 등) |
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| 70 | +## 3. 반도체 기억장치 |
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| 72 | +### 3.1 RAM (Random Access Memory) |
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| 74 | +- **특성:** 임의 액세스, 읽기/쓰기 가능, 휘발성 |
| 75 | +- **DRAM:** 캐패시터 저장, 주기적 재충전 필요, 대용량/저가, 주기억장치 |
| 76 | +- **SRAM:** 플립플롭 저장, 재충전 불필요, 고속, 캐시 메모리 |
| 77 | +- **내부 조직:** 다양한 비트 조직(8x8, 16x4 등), 대용량은 RAS/CAS 신호로 주소 관리 |
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| 79 | +### 3.2 ROM (Read Only Memory) |
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| 81 | +- **특성:** 읽기만 가능, 영구 저장 |
| 82 | +- **용도:** 시스템 초기화, 진단, 제어 유닛 마이크로 프로그램, 서브루틴 저장 |
| 83 | +- **종류:** |
| 84 | + - PROM: 1회 프로그래밍 가능 |
| 85 | + - EPROM: 자외선 삭제/재기록 가능 |
| 86 | + - EEPROM: 전기적 삭제/재기록, 갱신 횟수 제한 |
| 87 | + - 플래시 메모리: NAND/NOR형, 삭제 빠름, SSD 구성요소 |
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| 91 | +## 4. 기억장치 모듈의 설계 |
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| 93 | +- **병렬 접속:** 단어 길이(N) > 칩 데이터 I/O(B) → N/B개 칩 병렬 연결, 데이터 폭 확장 |
| 94 | +- **직렬 접속:** 기억 장소 수↑ 필요시 칩 직렬 연결, 총 용량 확장 |
| 95 | +- **설계 순서:** |
| 96 | + 1. 시스템 필요 용량 결정 |
| 97 | + 2. 칩 선정 및 주소 맵 작성 |
| 98 | + 3. 세부 회로 설계 |
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| 101 | + |
| 102 | +## 5. 결론 |
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| 104 | +컴퓨터 기억장치는 프로그램/데이터 저장의 핵심 요소입니다. 속도, 용량, 가격의 균형을 맞춘 계층적 시스템 이해와 RAM, ROM, 플래시 메모리 등 반도체 기억장치의 원리, 모듈 설계는 컴퓨터 아키텍처의 근간입니다. |
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